신소재 工學 experiment(실험) - 홀 결과 측정(測定) (Hall Effect Measurements)
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작성일 20-07-14 18:44
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실험결과/기타
홀 effect 측정(measurement)(Hall Effect Measurements)
1. 실험 목적
- Hall effect 측정(measurement)을 통해 다수캐리어 농도가 서로 다른 반도체 시편들의 전기적인 속성 (전기저항률, 캐리어 이동도, 캐리어 농도)을 측정(measurement)하고 비교 평가 한다. 또한 홀 effect를 기초로 한 연구가 1985년과 1998년에 노벨상을 수상했을 정도로 매우 중요하다.
Edwin H. Hall (1855 - 1938)
홀 effect에 의해 간단한 실험 장치와 방법으로 반도체 재료의 중요한 전기적인 속성 인 전하 캐리어의 종류(n형 또는 p형), 다수 캐리어(majority carrier)의 농도(concentration)와 이동도(mobility) 등을 측정(measurement)할 수 있따 홀 effect는 반도체 또는 금속에 전류를 통하게 하고 이것에 수직인 방향으로 자기장을 인가하면, 전류 방향과 자기장 방향 모두에 수직인 방향으로 이들의 크기에 비례하는...
홀 effect 측정(measurement)(Hall Effect Measurements)
1. 실험 목적
- Hall effect 측정(measurement)을 통해 다수캐리어 농도가 서로 다른 반도체 시편들의 전기적인 속성 (전기저항률, 캐리어 이동도, 캐리어 농도)을 측정(measurement)하고 비교 평가 한다.
2. 실험 관련 理論(이론)
2.1. 홀 effect(Hall Effect)
홀 effect는 1879년 미국의 Edwin H. Hall에 의해 발견되었다.
Edwin H. Hall (1855 - 1938)
홀 effect에 의해 간단한 실험 장치와 방법으로 반도체 재료의 중요한 전기적인 속성 인 전하 캐리어의 종류(n형 또는 p형), 다수 캐리어(majority carrier)의 농도(concentration)와 이동도(mobility) 등을 측정(measurement)할 수 있따 홀 effect는 반도체 또는 금속에 전류를 통하게 하고 이것에 수직인 방향으로 자기장을 인가하면, 전류 방향과 자기장 방향 모두에 수직인 방향으로 이들의 크기에 비례하는 기전력이 발생되는 현상을 말한다. 왼…(투비컨티뉴드 )
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신소재 工學 experiment(실험) - 홀 결과 측정(測定) (Hall Effect Measurements)
다. 홀 effect는 오늘날 산업에 적용되는 거의 모든 반도체 재료의 전기적인 성질을 테스트하는 데 일반적으로 적용되고 있따 홀 effect의 중요성은 반도체의 캐리어의 이동도, 전기적인 저항률, 그리고 캐리어의 정확한 농도를 결정할 피료썽에 의해 강조된다된다.
홀 effect의 기본적인 물리적 원리는 Lorentz의 법칙, 또는 일명 Fleming의 왼손 법칙이다. 이 힘을 Lorentz Force라고 한다. 홀 effect는 연구실이나 반도체공장에서 필수적으로 파악해야 할 속성 이며 최근 반도체 관련 산업현장 조사에서 가장 일반적으로 적용되는 확인 방법이다. 이를 쉽게 암기하는 방법은 다음과 같다. 그림 1과 같이 왼손의 엄지, 검지, 중지를 서로 직각으로 편 상태에서 중지 방향으로 전류(I)를 가하고 검지 방향으로 자기장(B)을 가하면, 엄지 방향으로 힘(F)이 유도된다된다.
2. 실험 관련 理論(이론)
2.1. 홀 effect(Hall Effect)
홀 effect는 1879년 미국의 Edwin H. Hall에 의해 발견되었다.
