I-V measurement
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작성일 21-09-15 08:34본문
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이런 흐름(flow)을 ‘transport’라 하는데 두 가지 기본적인 transport mechanism으로는 diffusion과 drift가 있다 전자는 charged particle의 농도차에 의한 transport이고 후자는 전기장에 의한 charged particle의 흐름을 나타낸다. 이외에 온도차에 의한 flow도 있을 수 있으나 size가 작아질수록 그 效果는 적어진다.
설명
,공학기술,레포트
I Introduction
II. Carrier Transport Phenomena in general materials
1. Carrier drift
2. Carrier diffusion
3. Total current density
III I-V characteristics
1. Metal-Insulator(or Semiconductor) contact
1.1 Energy levels in crystals
1.2 Neutral contact
1.3 Blocking contact(Schottky contact)
1.4 Ohmic contact(Mott Gurney contact)
1.5 Metal-Insulator-Metal(MIM) contact
2. Image-force effect
2.1 Image force effect in case of a single interface
2.2 Image force effect in case of a MIM structure
3. Conduction mechanism
3.1 Electrode-limited currents
(1) Thermionic (or Schottky) current
(2) Tunnel current
3.2 Bulk-limited currents
(1) Charge density in the insulator
(2) General bulk current in the insulator
(3) Poole-Frenkel conduction
(4) Hopping conduction
(5) Space charge-limited conduction
V. I-V measurement with HP4145B
1. 측정(測定) 목적
2. I-V 측정(測定) 장비의 구성
2.1 Probe station의 사용법
2.2 측정(測定) 장비(HP 4145B )
2.3 Interface computer
V. Reference
I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 characteristic(특성)(electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다. 이런 carrier transport phenomena는 다음에 설명(explanation)될 재료의 I-V characteristic(특성)을 이해하는데 기본이 된다
.
1. Carrier drift
만약 재료에 전기장을 가하면 전자와 hole은 이 전…(To be continued )
i-vmeasurement
순서
I-V measurement
레포트/공학기술
본 자료는 I-V measurement 실험 보고서입니다. 그리고 마지막으로 실제 측정(測定) 에서 사용되는 장비에 대해 간략히 紹介(소개)하도록 하겠다.i-vmeasurement , I-V measurement공학기술레포트 ,
다.
II. Carrier Transport Phenomena in general materials
재료에서 전자와 전공(hole)과 같은 charged particle의 net flow에 의해 전류가 흐른다.
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본 data(資料)는 I-V measurement 實驗(실험) 보고서입니다. 이런 electrical property를 측정(測定) 하는 방법 중에 I-V 측정(測定) 이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 反應(반응)하여 나타나는 전류를 측정(測定) 함으로써 그 재료의 비저항이라든가 누설전류(leakage current) characteristic(특성), 그리고 파괴 전압 (breakdown voltage) 등을 측정(測定) 할 수 있다 이런 측정(測定) 값을 토대로 우리가 증착한 유전체 박막의 characteristic(특성)을 평가할 수 있게 된다
이런 I-V 측정(測定) 을 이해 하기위해 먼저 일반적인 반도체 재료에서의 carrier transport phenomena에 대하여 간략히 알아본 다음 도체-부도체 사이의 contact으로부터 전류가 흐르는 메커니즘의 이해를 통해 voltage를 흘려줄 때 어떤 反應(반응)을 통해 전류가 유전체 박막을 통해 흐르게 되는지 알아보겠다.