다이오드의 반파 정류회로의 파형 측정
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작성일 21-10-09 02:27
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이는 불순물이 반도체의 전도도를 광범위하게 변화시키고 심지어 음(negative)전하 캐리어(carrier)에 의한 것에서 양(positive)전하 캐리어에 의한 것으로 반도체의 전도 과definition 성질을 바꾸어 놓는다.
전도체의 금속과 전연체의 중간정도의 전기 전도도를 갖는 특정한 물질을 말함. 전기의 전도도가 주변의 온도, 불순물의 함유상태 등에 따라 변화될 수 있다는 것은 매우 중요한 의미를 가진다. 반도체 재료는 주기율표의 4족 및 옆에 있는 물질들이며 4족에 속하는 반도체인 실리콘(silicon)과 게르마늄(germanium)은 원소(elemental)반도체라 하며 단일 종류의 원자들로만 이루어져 있다아
설명
a. 반도체란?
초기 반도체 재료로는 게르마늄이 많이 사용되었으나 현재에는 주고 실리콘을 많이 사용하고 있으며 특히 기억소자, 전류소자 등의 I.C(integration circuit) 회로에 이용된다. 한편, 3,5 족의 GaAs나 GdP는 발광 다이오드(light-emitting)에 사용되다
다이오드의 반파 정류회로의 파형 측정
반도체는 전자적, 광학적 성질이 불순물에 의하여 크게 effect을 받으며 이 불순물들은 정밀하게 제어된 양으로 첨가된다.
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b. 도핑이란?
순서
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ㄱ. 도체 다이오드
3. 실험theory
레포트 > 공학,기술계열
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다. 이와 같은 불순물 첨가를 도핑(doping)이라 한다.
