다이오드의 特性 측정(測定)
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작성일 20-06-25 18:50본문
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⑤ 5항의 첨자
- 변경을 표시하는 첨자 : 원형 또는 원형에서 변형된 것을 구별할 필요가 있을 때 사용한다.
- 다이오드 역극성에 대한 첨자 : 외형이 같고 극성 외의 전기적 mr성이 같은 역극성 …(투비컨티뉴드 )
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다이오드의 特性 측정(測定)
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실험결과/기타
다이오드의 特性 측정(測定)
설명
다.
[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림 19-1과 같이 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로 되어 있따 P형 쪽을 (+)극, N형 쪽을 (-)에 접속하면 화살표 방향으로 전류가 흐르는데 이와 같은 접속 방법을 순방향 바이어스라고 한다.
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순서
1. 實驗 목적
(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 特性(특성)을 이해한다.
② 2항의 문자 : 대개 S로 하며 반도체 소자를 표시한다.
(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정(measurement)한다.
이 實驗에서는 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 어떻게 變化(변화)하는가와 인가 전압의 방향을 반대로 했을 때의 전류 變化(변화)를 觀察한다.
① 1항의 숫자 : 반도체 소자의 종별을 표시하며 표 19-1과 같다. 그 변형한 순서로 A~J까지의 알파벳 대문자를 사용한다.
(2) 반도체 소자 규격
반도체 소자에 대한 형명은 미국에서는 1N……, 2N…… 등의 JEDEC의 규정에 따라 쓰로 유럽에서는 로마자와 숫자와의 조합으로 표시하고 있고, 특히 日本 의 JIS와 EIAJ에 의한 것을 intro 하면다음과 같다.
③ 3항의 문자 : 반도체 소자의 극성과 용도를 나타내는 것으로 표 19-2와 같다
④ 4항의 숫자 : 1항의 숫자 및 3항의 문자에 의해 구분된 종별마다 11부터 스타트하는 추가 등록 번호를 표시한다.
2. theory
(1) 다이오드
반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.