기초전자工學 실험 - 다이오드(Diode)
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작성일 20-07-18 00:50본문
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3.test(실험) 재료
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기, Si, Ge, zenor, 발광 다이오드
4.test(실험) 과정 및 결과
1) 그림 4(a)의 회로를 결선하라.
V
그림4(a)
2) 다이오드 양단의 순방향 전압을 측정(measurement)하라.
- 0.6895[V]
3) 회로에 흐르는 전류 를 측정(measurement)하라.
- 9.42[mA]
4) 발광 다이오드를 이용하여 그림 4(a)와 같은 회로를 결선하고 입력전압을 0 V에서 천천히 증가시켜 빛이 날 때의 전류를 측정(measurement)하라. 여기서 저항은 로 교체한다.
3.test(실험) 재료
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기, Si, Ge, zenor, 발광 다이오드
4.test(실험) 과정 및 결과
1) 그림 4(a)의 회로를 결선하라.
V
그림4(a)
2) 다이오드 양단의 순방향 전압을 측정(measurement)하라.
- 0.6895[V]
3) 회로에 흐르는 전류 를 측정(measurement)하라.
- 9.42[mA]
4) 발광 다이오드를 이용하여 그림 4(a)와 같은 회로를 결선하고 입력전압을 0 V에서 천천히 증가시켜 빛이 날 때의 전류를 측정(measurement)하라. 여기서 저항은 로 교체한다. 그…(skip)
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기초전자工學 실험 - 다이오드(Diode)
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실험결과/기타
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다.
4) 그림 4(b)의 회로를 결선하라.
V
(a)
그림4(b)
5) 결선된 회로에서 흐르는 전류 를 측정(measurement)하라.
- 4.53[mA]
6) 그림 5의 회로를 결선하라. ()
I
V
R
그...
1.test(실험) 題目
- 다이오드(Diode)
2.test(실험) 목표(目標)
- Si, Ge, zenor, 발광 다이오드의 property(특성)을 test(실험) 을 통해 이해한다.
4) 그림 4(b)의 회로를 결선하라.
V
(a)
그림4(b)
5) 결선된 회로에서 흐르는 전류 를 측정(measurement)하라.
- 4.53[mA]
6) 그림 5의 회로를 결선하라. ()
I
V
R
그림 5 제너 다이오드 회로
7) 입력전압을 0, 2, 4, 6, 8, 10 V로 증가시키면서 제너 다이오드 양단에 걸리는 전압과 회로에 흐르는 전류를 측정(measurement)하라.
8) 그림 6의 회로를 결선하라. ()
R
그림 6 제너 다이오드 응용 회로
9) 각 test(실험) 에 대해 theory 적인 결과와 test(실험) 적인 결과를 비교analysis하라.
표 1 제너다이오드 property(특성)표
인가전압(V)
제너 다이오드 양단 전압(V)
전류(mA)
test(실험) 값
theory 값
test(실험) 값
theory 값
0
0.xxx
0
0
0
2
0.7554
≒0.8
2.56
≒2.5
4
0.7801
≒0.8
6.62
≒6.80
6
0.7980
≒0.8
10.97
≒11.06
8
0.804
≒0.8
15.25
≒15.32
10
0.813
≒0.8
19.6
≒19.57
5.고찰
test(실험) 을 통해 비선형소자인 다이오드가 전류를 한 방향으로 흐르게 하는 property(특성)을 지닌다는 것을 알게 되었다.
기초전자工學 실험 - 다이오드(Diode)
순서
설명
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1.test(실험) 題目
- 다이오드(Diode)
2.test(실험) 목표(目標)
- Si, Ge, zenor, 발광 다이오드의 property(특성)을 test(실험) 을 통해 이해한다.