[Engineering,기술] 반도체공정 experiment(실험) - Cleaning & Oxidation > bttimes7

[Engineering,기술] 반도체공정 experiment(실험) - Cleaning & Oxidation

페이지 정보

작성일 21-03-24 06:29

본문

Download : [공학,기술] 반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation.docx

test(실험) 과정
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의
표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다.

2. test(실험) 방법
가. test(실험) 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 Ωcm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours

나. test(실험) 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다.
test(실험) 1 : Cleaning & Oxidation

1. test(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다.
5) Wet oxidation
- Vertical Tube Furnace를 이용하여 Wet oxidation을 실시한다.
Oxidation은 1000도에서 진행되며 2시간, 4시간, 6시간 세 번 진행…(생략(省略))

[Engineering,기술] 반도체공정 experiment(실험) - Cleaning & Oxidation

Download : [공학,기술] 반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation.docx( 64 )

설명

[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Cleaning%20&%20Oxidation_docx_01.gif

[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Cleaning%20&%20Oxidation_docx_02.gif

[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Cleaning%20&%20Oxidation_docx_03.gif

[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Cleaning%20&%20Oxidation_docx_04.gif

[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Cleaning%20&%20Oxidation_docx_05.gif

[공학,기술] 반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation , [공학,기술] 반도체공정 실험 - Cleaning & Oxidation기타실험결과 , 공학 기술 반도체공정 실험 Cleaning & Oxidation
[Engineering,기술] 반도체공정 experiment(실험) - Cleaning & Oxidation
순서

공학,기술,반도체공정,실험,Cleaning,&,Oxidation,기타,실험결과
실험결과/기타

다.
4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
- 물방울을 떨어뜨려 표면과의 각도를 측정(測定) 한 후 BOE cleaning전에 측정(測定) 한 각도와
비교한다. 이 때 세정되는 표면의 property(특성)이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에
따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.
3) Spin Dryer
- 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 變化(변화)에 어떤 影響을 주는지 확인하여본다.( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다.

뒤로가기 bttimes7

본문